内存实用基础大全

怀健2分享 2024-03-26 05:50:20

对于电脑内存，可能大家都觉得内存影响不到游戏帧数，但这其实是非常片面的。举个例子，在玩绝地求生时，按下TAB键会卡顿或者游戏忽然掉帧，那就是内存不足导致的。下面就让小编带你去看看内存实用基础大全，希望能帮助到大家!

又到了学点内存知识的季节

什么是DDR?

DDR，全称：DDR SDRAM ，Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memary，即，双数据速率同步动态随机存取记忆体，也就是我们常用的内存，它从SDRAM的基础上发展起来，以后依次出现了DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DDR4 SDRAM。它们的能效不断提升。文章结尾附一张纯良心内存能效参数表。

DDR间有什么区别?

1、SDRAM

SDRAM内部组成如，可见其组成可以分为几个部分，存储阵列、IO门控单元、行列地址解码器、行列地址锁存器、逻辑控制单元(包含模式寄存器)、数据输入输出寄存器等。

存储矩阵内部结构，以8位内存单元为例，每个内存单元的数据输出是并联在一起，通过行列地址线选中一个存储单元，

存储容量大小和数据位宽度、行地址、列地址、块数量等的关系：

单片容量(bit)=单片位宽×行数×列数×块数量

2、DDR SDRAM

DDR的内部结构与SDRAM相比，数据读写部分改进比较大。其一，使用了两位预读取的技术;其二，增加了DLL(delay lock loop演示锁定回路);其三，增加了数据掩码控制和数据总线反转控制;此外，时钟信号和数据选通信号改为差分信号。

3、DDR2 SDRAM

DDR2 SDRAM整体布局变化不大，在输入输出数据总线接口上变化比较多。

DDR2在DDR的基础上增加了ODT(on-die termination片上终结，即通过内部逻辑选择合适的终端电阻进行匹配)功能，预读取提高到了4位，即每传输4个字节/字，只有第一个字节/字有潜伏期。

4、DDR3 SDRAM

DDR3 SDRAM在输入输出数据总线接口上继续提升性能，在存储结构上改进工艺，堆叠更多的存储块，提高单颗芯片的容量。

在功能上的改进有，增加了读写平衡功能。

5、DDR4 SDRAM

DDR4 SDRAM在输入输出数据总线接口上继续改善性能，在存储结构上继续改进工艺，不仅堆叠更多的存储块，而且使用硅片穿孔工艺把把堆叠成的存储块进行并列放置，集中到一颗芯片中，提高单颗芯片的容量。

内存的一些简单入门知识

首先是大家都知道的，也是百度百科的资料，内存是什么?

内存条是连接CPU 和其他设备的通道，起到缓冲和数据交换作用。当CPU在工作时，需要从硬盘等外部存储器上读取数据，但由于硬盘这个“仓库”太大，加上离CPU也很“远”，运输“原料”数据的速度就比较慢，导致CPU的工作效率大打折扣!为了解决这个问题，人们便在CPU与外部存储器之间，建了一个“小仓库”——内存。

内存的特点是存储速度快。内存是电脑中的主要部件，它是相对于外存而言的。我们平常使用的程序，如QQ、浏览器、游戏，包括WINDOWS系统，一般都是安装在硬盘等外存上的，但仅此是不能使用其功能的，必须把它们调入内存中运行，才能真正使用其功能，我们平时输入一段文字，或玩一个游戏，其实都是在内存中进行的。就好比在一个书房里，存放书籍的书架或书柜相当于电脑的外存，而我们工作的办公室就是内存。通常我们把要永久保存的、大量的数据存在外存上，当然内存的好坏会直接影响电脑的运行速度。

内存的发展历史

内存分为DRAM和ROM两种，前者又叫动态随机存储器，它的一个主要特征是断电后数据会丢失，我们平时说的内存就是指这一种;后者又叫只读存储器，我们平时开机首先启动的是存于主板上ROM中的BIOS程序，然后再由它去调用硬盘中的Windows，ROM的一个主要特征是断电后数据不会丢失。

而我们平时所说的“内存条”则隶属于DRAM类别下的SDRAM家族。

第一代 SDR SDRAM

第二代 DDR SDRAM

第三代 DDR2 SDRAM

第四代 DDR3 SDRAM

第五代DDR4 SDRAM

我们现在常用的DDR4就是第五代内存了!

关于内存频率、时序还有电压的一些解释

所谓内存频率，就是我们经常说的某某品牌，DDR4 2133、2400、2666…等等，后面这些数字就是内存频率。

一般情况下，内存频率的高低，决定了内存性能的强弱。内存频率越高，内存带宽也就越高，正常工作的速度会更快。

关于内存时序，也就是我们在CPU-Z里面所看到的数字了。

内存时序是描述内存条性能的一种参数，一般存储在内存条的SPD中。这些参数设置的越小，内存处理数据越快，但是也越不稳定;反之较慢，但是稳定性提高，因此需要设置合适的内存时序。一般DDR4 2133的内存默认时序是15-15-15-35…

关于内存电压，每代内存电压都是有一个标准范围的。比如我们现在用的DDR4内存电压默认为1.2V，超频也最好不要超过1.5V;而DDR3的内存则是从1.5-2.0V;DDR2则是2V起步。

现在内存所支持的XMP是什么?

Intel XMP全名是Extreme Memory Profile，是针对DDR3模块而推出的一项认证。

其主要功能就是高阶的内存设定，内存厂商除了会在内存预设普通的SPD值外，另外亦会写入更为高速的设定。当然，厂商们可以任意替旗下的内存模块写进更加高速的设定，但这样就没有任何稳定性的保证及标准，所以业界便引入XMP设计。

XMP会在内存地址176-254中记录内存的速度，而最多可以保存2组的设定值。厂商们如需要得到XMP的认证，就必须把内存及该设定送交Intel测试，通过后就会给予认证。Intel推出这个标准，其主要用意是针对高效能市场，玩家使用具备了XMP的内存，就能够直接提升工作平台的效能。

内存时序和频率的一些问题?

这时候我们就需要举个例子了，以宇瞻黑豹DDR4 2400的内存和影驰名人堂HOF DDR4 2400内存来对比。

延迟对比：

宇瞻黑豹DDR4 2400 16-16-16-36 CL16 延迟计算 (1/2400MHz)__16=6.67纳秒

宇瞻黑豹DDR4 2133 15-15-15-35 CL15 延迟计算 (1/2400MHz)__15=6.25纳秒

然后计算带宽(按照双通道计算，内存带宽128bit)：

2400 ： 2400MHz__128bit/8= 38400MB/S

2133 ： 2133MHz__128bit/8= 34128MB/S

内存延迟意味着内存的反应速度。我们知道，CPU读写内存的事情，首先是要告诉内存，要读写某个地址的数据，意味着CPU要先发送某个地址代码给内存，内存接收到后，编译准备好的这段时间为内存延迟时间。

当内存准备好了数据反馈给CPU，CPU开始读写内存，这时候，内存的带宽是主要作用，一直到数据传输完成，然后重复上一步操作，这就是内存和CPU的工作原理(简单通俗的讲，实际比这个复杂多了)

所以我们可以分两种情况，当CPU读写内存数据量很大，而且是连续的时候，内存带宽影响最大;当CPU读写的内存数据非常零碎，且零碎数据很多，这时候的低延迟的内存速度回更快。

这也解释了核显对于双通道高频内存的需求，图形数据一般都是大量并且连续的，AMD的APU需要高频双内存的原理，就是这么来的。

关于内存超频的一些问题

内存超频跟内存颗粒的体制是肯定有最为直接的关系的。然后还有就是主板bios的设计、主板bios的优化水平，CPU集成的内存控制器等等原因，都是有影响的!

我们所看到某些支持XMP内存和主板，在某种程度上，可以认为是厂商预先保留的超频选择，直接在bios开启即实现超频。

当然，我们普通的内存一样是可以超频的，具体要看实际平台和内存等等来操作，基本原理也就是时序、频率和电压了，每个人的情况都不一样，需要自己去调试才行。

好了，今天的每日一荐到此结束，临时洋洋洒洒写了1900个字，明天还不知道写啥，希望大家给我一些建议和提示!

内存知识详解：接口类型

接口类型，是根据内存条金手指上导电触片的数量来划分的。金手指上的导电触片，也习惯称为针脚数(Pin)。因为不同的内存采用的接口类型各不相同，而每种接口类型所采用的针脚数各不相同。笔记本内存一般采用 144Pin、200Pin 接口;台式机内存则基本使用 168Pin 和184Pin 接口。对应于内存所采用的不同针脚数，内存插槽类型也各不相同。目前，台式机系统主要有 SIMM、DIMM 和 RIMM 三种类型的内存插槽，而笔记本内存插槽则是在 SIMM 和 DIMM 插槽基础上发展而来，基本原理并没有变化，只是在针脚数上略有改变。

1、金手指

金手指(connecting finger)是内存条上与内存插槽之间的连接部件，所有的信号都是通过金手指进行传送的。金手指由众多金黄色的导电触片组成，因其表面镀金而且导电触片排列如手指状，所以称为“金手指”。金手指实际上是在覆铜板上通过特殊工艺再覆上一层金，因为金的抗氧化性极强，而且传导性也很强。不过，因为金昂贵的价格，目前较多的内存都采用镀锡来代替。从上个世纪 90 年代开始，锡材料就开始普及，目前主板、内存和显卡等设备的“金手指”，几乎都是采用的锡材料，只有部分高性能服务器/工作站的配件接触点，才会继续采用镀金的做法，价格自然不菲。

内存的金手指

内存处理单元的所有数据流、电子流，正是通过金手指与内存插槽的接触与 PC 系统进行交换，是内存的输出输入端口。因此，其制作工艺，对于内存连接显得相当重要。

2、内存插槽

最初的计算机系统，通过单独的芯片安装内存，那时内存芯片都采用 DIP(Dual ln-line Package，双列直插式封装)封装，DIP 芯片是通过安装在插在总线插槽里的内存卡与系统连接，此时还没有正式的内存插槽。DIP 芯片有个最大的问题，就在于安装起来很麻烦，而且随着时间的增加，由于系统温度的反复变化，它会逐渐从插槽里偏移出来。随着每日频繁的计算机启动和关闭，芯片不断被加热和冷却，慢慢地芯片会偏离出插槽。最终导致接触不好，产生内存错误。

内存插槽

早期还有另外一种方法，是把内存芯片直接焊接在主板或扩展卡里，这样有效避免了 DIP 芯片偏离的问题，但无法再对内存容量进行扩展，而且如果一个芯片发生损坏，整个系统都将不能使用，只能重新焊接一个芯片或更换包含坏芯片的主板。此种方法付出的代价较大，也极为不便。

对于内存存储器，大多数现代的系统，都已采用单列直插内存模块(Single Inline Memory Module，SIMM)或双列直插内存模块(Dual Inline Memory Module，DIMM)来替代单个内存芯片。这些小板卡插入到主板或内存卡上的特殊连接器里。

3、内存模块

1) SIMM

SIMM(Single Inline Memory Module，单列直插内存模块)。内存条通过金手指与主板连接，内存条正反两面都带有金手指。金手指可以在两面提供不同的信号，也可以提供相同的信号。SIMM 就是一种两侧金手指都提供相同信号的内存结构，它多用于早期的 FPM 和 EDD DRAM，最初一次只能传输 8bif 数据，后来逐渐发展出 16bit、32bit 的 SIMM 模组。其中，8bit 和 16bit SIMM 使用 30pin 接口，32bit 的则使用72pin 接口。在内存发展进入 SDRAM 时代后，SIMM 逐渐被 DIMM 技术取代。

2) DIMM

DIMM(Dual Inline Memory Module，双列直插内存模块)。与 SIMM 相当类似，不同的只是 DIMM 的金手指两端，不像 SIMM 那样是互通的，它们各自独立传输信号。因此，可以满足更多数据信号的传送需要。同样采用 DIMM，SDRAM 的接口与 DDR 内存的接口也略有不同，SDRAMDIMM 为 168Pin DIMM 结构，金手指每面为 84Pin，金手指上有两个卡口，用来避免插入插槽时，错误将内存反向插入而导致烧毁;

DDR DIMM则采用 184Pin DIMM 结构，金手指每面有 92Pin，金手指上只有一个卡口。卡口数量的不同，是二者最为明显的区别。DDR2 DIMM 为240pinDIMM 结构，金手指每面有 120Pin，与 DDR DIMM 一样金手指一样，也只有一个卡口，但是卡口的位置与 DDR DIMM 稍微有一些不同。因此，DDR 内存是插不进 DDR2 DIMM 的，同理 DDR2 内存也是插不进 DDR DIMM 的。因此，在一些同时具有 DDR DIMM 和 DDR2 DIMM 的主板上，不会出现将内存插错插槽的问题。

不同针脚 DIMM 接口对比。为了满足笔记本电脑对内存尺寸的要求，SO-DIMM(Small Outline DIMM Module)也开发了出来，它的尺寸比标准的 DIMM 要小很多，而且引脚数也不相同。同样 SO-DIMM 也根据 SDRAM 和 DDR 内存规格不同而不同。SDRAM 的 SO-DIMM 只有 144pin引脚，而DDR 的 SO-DIMM 拥有 200pin 引脚。此外，笔记本内存还有 MicroDIMM 和 Mini Registered DIMM 两种接口。MicroDIMM 接口的DDR 为 172pin，DDR2 为 214pin;Mini Registered DIMM 接口为 244pin，主要用于 DDR2 内存。

3) RIMM

RIMM(Rambus Inline Memory Module)是 Rambus 公司生产的 RDRAM 内存所采用的接口类型。RIMM 内存与 DIMM 的外型尺寸差不多，金手指同样也是双面的。RIMM 有也 184 Pin 的针脚，在金手指的中间部分有两个靠的很近的卡口。RIMM 非 ECC 版有 16 位数据宽度，ECC 版则都是 18 位宽。由于 RDRAM 内存较高的价格，此类内存在 DIY 市场很少见到，RIMM 接口也就难得一见了。