如何优化内存条

　　如何优化电脑很多用户并没有在意这些细节，那怎么在内存上做到优化呢?为此学习啦小编为大家整理推荐了，希望大家喜欢。

　　优化内存条

　　内存负责向CPU提供运算所需的原始数据，现在CPU运行速度超过内存数据传输速度很多，因此就造成了CPU很多时候都在等待内存提供数据的情况。这就是我们通常所说的“CPU等待时间”，或所谓的“内存瓶颈”。内存传输速度越慢，CPU等待时间就会越长，系统整体性能受到的影响就越大。因此，快速的内存是有效提升CPU效率和整机性能的关键之一。通常情况之下，购买新的、更快速的内存是解决内存瓶颈最直接的办法。不过，利用我们现有的内存，好好做一番优化设置，也能收到异曲同工之妙的效果，而且还不用花钱。

　　上期我们已经介绍过了，目前主流内存分为SDRAM、DDR SDRAM和RDRAM三种。这三种内存有一个共同点，就是它们都以与系统CPU的外部频率相同的频率工作，这个频率也就是我们常说的一个术语——FSB(Front Side Bus，前端总线)频率。现在的主板都具有比较高的“智能”，这三种内存在插到相对应的主板后，都能自动设置正确的运行频率。因此，即使我们不进行任何设置或调整，绝大多数内存都能实现“即插即用”。不过，几乎所有主板的内存相关参数出厂初始设置都比较保守，并不能将内存的性能充分发挥。下面，我们针对三种内存来分别介绍其各自的优化方法。

　　(注：我们以下所谈到的内存优化都限于在主板BIOS提供的功能上。开机时按住“Del”键就可以进入BIOS的设定界面，具体设置菜单项一般是“Chipset Features Setup”或“Advanced Chipset Features”。修改参数通常是用“PageUp/PageDown”键或更为直观的回车选择菜单两种方式，修改完成后，一定记住按“F10”键保存。所有修改在系统重新启动之后生效。)

　　RDRAM内存优化

　　RDRAM的设置和优化是最简单的。RDRAM分两种规格——PC600和PC800，还有一种是不太正式的PC700，性能以PC600最低而PC800最高。要正确设置RDRAM，首先要做的就是认清自己的内存是哪种规格。

　　图1 由于RDRAM的工作规范要求极高，因此大部分Pentium 4主板都没有提供超频的功能，我们只要在BIOS中将“RDRAM Bus Frequency”选项设置成与内存条相同的频率就可以了。这里，400MHz对应PC800内存条，而300MHz对应PC600内存条(PC700内存条只能当PC600来用)。

　　图2 这是一条PC800的RDRAM内存条，我们从内存标牌上可以明显地找到它的规格标记。

　　SDR/DDR内存优化

　　DDR SDRAM的设置与SDRAM大致相同，因此我们就以SDRAM为例一并介绍。

　　SDRAM有3个正式的规格——PC66、PC100和PC133;DDR SDRAM则有PC1600和PC2100两种规格。个别厂商针对超频爱好者的需要，也提供了PC150和PC166这两种非正式规格的SDRAM内存条，DDR SDRAM也有PC2700的非正式规格产品出现。这些数值其实代表了这些内存能稳定运行的最大频率，如PC133内存的最大稳定运行频率就应该为133MHz。但在BIOS设置选项中，很少可以直接选择内存规格。更多的是以设置FSB频率或内存的运行时钟周期来间接设置内存规格。

　　图3 前面我们已经说过了，内存的运行频率与FSB相同。FSB设置选项往往在BIOS中与CPU频率的设置在一起，其实就是以设置CPU运行频率(倍频和外频)的方式来实现的。

　　图4 这块主板则是通过内存的存取时钟周期来设置内存运行频率的。计算内存时钟周期与运行频率关系的简化公式是：1÷内存时钟周期×1000MHz。如7.5ns的SDRAM，它的运行频率就是1÷7.5×1000MHz≈133MHz。图中的内存设置为8ns，其实它只能算是PC100的内存。

　　图5 SDRAM和DDR SDRAM在内存芯片上都标注了该内存的存取时钟周期，我们不仅可以根据这个数值来正确设置内存，还可以用它来判断内存是否符合标称的规格。

　　正确设置内存运行频率仅仅只是优化内存的第一步，想要获得更好的性能，调节FSB是最有效的手段。但由于这会使CPU运行频率随之上升，因此并不见得CPU就能稳定运行。一旦CPU的超频能力足够，那么内存的最大稳定运行频率也就至关重要了，这也就是为什么发烧友们总是对PC150、PC166内存情有独钟的原因。

　　目前绝大多数主板的BIOS都提供了对内存参数进行微调的功能，但厂商不同、具体主板采用的芯片组不同，可以调节的项目也不相同。由于内存运行参数微调涉及到非常专业的知识，这里我们只告诉大家该调节一些什么项目，以及怎样调节。

　　图6 CL值是调节最频繁的内存参数。CL是CAS Latency(CAS延时)的简写，该参数对内存性能的影响最大，CL值越小表明内存的性能越高。按PC133规范的技术文档说明，只有运行频率为133MHz、CL=2的内存，才真正符合PC133标准。目前市面上的很多所谓的PC133内存都不能做到CL=2。DDR SDRAM内存的CL目前大多为2.5或2。

　　图7 大多数主板BIOS都可以设置CL参数的值(在主板BIOS中该参数有的表示为CAS Latency，有的为SDRAM CAS Latency Time，也有如图表示为SDRAM Cycle Length的)，这个参数理论上可以随便设置，因此可以尽量尝试减小该值。但此举如导致系统无法启动或运行中死机，就应该及时还原该参数。

　　图8 部分主板提供了更为详细的三个内存参数选择——SDRAM RAS Precharge Time、SDRAM RAS To CAS Delay 和SDRAM CAS Latency Time。这几个数值都可以慢慢尝试将其减小。

　　图9 从VIA 693芯片组开始，VIA公司的所有芯片组还支持一个比较特殊的设置，这就是SDRAM的四路交错(4 Way Interleave)。该参数可以大大提高SDRAM的预充电效率，从而提升内存性能。目前很多采用VIA芯片组的主板都有这个设置，它们在菜单中的选项往往被称为Bank Interleave。在设置时，我们只要将其更改为4 Bank或4 Way Interleave即可。