内存传输类型是什么意思
内存传输类型是什么意思?内存传输类型,是指内存所采用的内存类型。不同类型的内存,传输类型各有差异,下面跟着学习啦小编来一起了解下内存传输类型吧。
内存传输类型详解
内存传输类型,是指内存所采用的内存类型。不同类型的内存,传输类型各有差异,在传输率、工作频率、工作方式、工作电压等方面,都有不同。目前,市场中主要有的内存类型有SDRAM、DDRSDRAM和RDRAM三种。其中,DDRSDRAM内存占据了市场的主流,而SDRAM内存规格已不再发展,处于被淘汰的行列。RDRAM则始终未成为市场的主流,只有部分芯片组支持,而这些芯片组也逐渐退出了市场,RDRAM前景并不被看好。
1)SDRAM
SDRAM,即SynchronousDRAM(同步动态随机存储器),曾经是PC电脑上最为广泛应用的一种内存类型,即便在今天,SDRAM仍旧还在市场占有一席之地。既然是同步动态随机存储器,那就代表着它的工作速度是与系统总线速度同步的。
SDRAM内存又分为PC66、PC100、PC133等不同规格,而规格后面的数字,就代表着该内存最大所能正常工作的系统总线速度,如PC100,那就说明此内存可以在系统总线为100MHz的电脑中同步工作。
与系统总线速度同步,也就是与系统时钟同步,这样就避免了不必要的等待周期,减少数据存储时间。同步还使存储控制器知道在哪一个时钟脉冲期由数据请求使用,因此数据可在脉冲上升期便开始传输。SDRAM采用3.3伏工作电压,168Pin的DIMM接口,带宽为64位。SDRAM不仅应用在内存上,在显存上也较为常见。
2)DDR
严格的说,DDR应该叫DDRSDRAM,人们习惯称为DDR。部分初学者也常看到DDRSDRAM,就认为是SDRAM。DDRSDRAM是DoubleDataRateSDRAM的缩写,是双倍速率同步动态随机存储器的意思。
DDR内存是在SDRAM内存的基础上发展而来的,仍然沿用SDRAM生产体系。因此,对于内存厂商而言,只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进,即可实现DDR内存的生产,可有效的降低成本。
SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据,它是在时钟的上升期进行数据传输;而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次数据,它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据。因此,称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下,达到更高的数据传输率。
与SDRAM相比,DDR运用了更先进的同步电路,使指定地址、数据输送和输出的主要步骤,既独立执行,又保持与CPU完全同步。DDR使用了DLL(DelayLockedLoop,延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术,当数据有效时,存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据,每16次输出一次,并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDR本质上不需要提高时钟频率,就能加倍提高SDRAM的速度,它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据,因而其速度是标准SDRA的两倍。
从外形体积上看,DDR与SDRAM相比差别并不大。他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚,比SDRAM多出了16个针脚,主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准,而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。
3)RDRAM
RDRAM(RambusDRAM)是美国的RAMBUS公司开发的一种内存。与DDR和SDRAM不同,它采用了串行的数据传输模式。在推出时,因为其彻底改变了内存的传输模式,无法保证与原有的制造工艺相兼容,而且内存厂商要生产RDRAM,还必须要加纳一定专利费用,再加上其本身制造成本,就导致了RDRAM从一问世就高昂的价格,让普通用户无法接收。而同时期的DDR则能以较低的价格,不错的性能,逐渐成为主流,虽然RDRAM曾受到英特尔公司的大力支持,但始终没有成为主流。
RDRAM的数据存储位宽是16位,远低于DDR和SDRAM的64位。但在频率方面,则远远高于二者,可以达到400MHz乃至更高。同样也是在一个时钟周期内传输两次次数据,能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据,内存带宽能达到1.6Gbyte/s。
普通的DRAM行缓冲器的信息,在写回存储器后便不再保留,而RDRAM则具有继续保持这一信息的特性,于是在进行存储器访问时,如行缓冲器中已经有目标数据,则可利用,因而实现了高速访问。另外,其可把数据集中起来,以分组的形式传送。所以,只要最初用24个时钟,以后便可每1时钟读出1个字节。一次访问所能读出的数据长度,可以达到256字节。
4)DDR2
DDR2(DoubleDataRate2)SDRAM,是由JEDEC(电子设备工程联合委员会)进行开发的新生代内存技术标准,它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是,虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式,但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力(即:4bit数据读预取)。换句话说,DDR2内存每个时钟能够以4倍于外部总线的速度读/写数据,并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。
DDR和DDR2技术对比的数据此外,由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式,而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式,FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性,为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程,从第一代应用到个人电脑的DDR200,经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术,第一代DDR的发展也走到了技术的极限,已经很难通过常规办法提高内存的工作速度。随着Intel最新处理器技术的发展,前端总线对内存带宽的要求是越来越高,拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。
DDR4内存的改进:
1.DDR4内存条外观变化明显,金手指变成弯曲状
2.DDR4内存频率提升明显,可达4266MHz
3.DDR4内存容量提升明显,可达128GB
4.DDR4功耗明显降低,电压达到1.2V、甚至更低
很多电脑用户可能对于内存的内在改进不会有太多的关注,而外在的变化更容易被人发现,一直一来,内存的金手指都是直线型的,而在DDR4这一代,内存的金手指发生了明显的改变,那就是变得弯曲了,其实一直一来,平直的内存金手指插入内存插槽后,受到的摩擦力较大,因此内存存在难以拔出和难以插入的情况,为了解决这个问题,DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面,信号传输确保信号稳定的同时,让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。
其次,DDR4内存的金手指本身设计有较明显变化。金手指中间的“缺口”也就是防呆口的位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面,普通DDR4内存有284个,而DDR3则是240个,每一个触点的间距从1mm缩减到0.85mm,笔记本电脑内存上使用的SO-DIMM DDR4内存有256个触点,SO-DIMM DDR3有204个触点,间距从0.6毫米缩减到了0.5毫米。
第三,标准尺寸的DDR4内存在PCB、长度和高度上,也做出了一定调整。由于DDR4芯片封装方式的改变以及高密度、大容量的需要,因此DDR4的PCB层数相比DDR3更多,而整体尺寸也有了不同的变化
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